Samsung đang đứng trước một bước lùi đáng chú ý trong lĩnh vực bán dẫn khi buộc phải hoãn vô thời hạn kế hoạch sản xuất đại trà chip DRAM thế hệ mới nhất.
Theo thông tin từ báo chí Hàn Quốc, nguyên nhân chính đến từ tỷ lệ chip đạt chuẩn chưa đạt mức kỳ vọng, khiến toàn bộ lộ trình thương mại hóa công nghệ này bị ảnh hưởng.
Cụ thể, công nghệ DRAM D1d, còn được gọi là 1d DRAM, được xây dựng trên quy trình sản xuất 10nm thế hệ thứ 7, đang gặp khó khăn trong khâu sản xuất.
Dù đã vượt qua giai đoạn phê duyệt tiền sản xuất, nhưng tỷ lệ thành phẩm đạt tiêu chuẩn vẫn thấp hơn mục tiêu đề ra. Do đó, Samsung chưa thể tiến hành thử nghiệm quy mô lớn hay sản xuất hàng loạt.
Một nguồn tin nội bộ cho biết Samsung sẽ chỉ nối lại kế hoạch sản xuất khi tỷ lệ đạt chuẩn được cải thiện đáng kể. Hiện tại, công ty đang rà soát lại toàn bộ quy trình sản xuất nhằm tìm giải pháp nâng cao hiệu suất, thay vì vội vàng đưa sản phẩm ra thị trường.
Đáng chú ý, D1d không phải là một công nghệ đơn lẻ mà đóng vai trò nền tảng cho thế hệ bộ nhớ băng thông cao HBM5E, được xem là thế hệ thứ 9 trong lộ trình phát triển HBM của Samsung. Điều này đồng nghĩa với việc bất kỳ sự trì hoãn nào ở D1d cũng có thể kéo theo ảnh hưởng dây chuyền tới các sản phẩm bộ nhớ cao cấp trong tương lai.
Trong khi đó, Samsung hiện vẫn đang sử dụng công nghệ 1c DRAM cho các thế hệ HBM hiện tại như HBM4, HBM4E và HBM5. Theo kế hoạch, HBM4 sẽ xuất hiện trong năm nay và được tích hợp vào các nền tảng phần cứng cao cấp, trong khi HBM4E và HBM5 sẽ phục vụ các thế hệ chip tiếp theo trong hệ sinh thái điện toán hiệu năng cao và trí tuệ nhân tạo.
Trước đó, Samsung từng công bố đã rút ngắn chu kỳ phát triển HBM nhằm đẩy nhanh tiến độ ra mắt các thế hệ bộ nhớ mới. Tuy nhiên, thực tế cho thấy việc hoàn thiện công nghệ trong phòng thí nghiệm và đưa vào sản xuất hàng loạt là hai giai đoạn hoàn toàn khác nhau.
Điểm nghẽn hiện tại không nằm ở khâu phát triển, mà chính là khả năng sản xuất ổn định với tỷ lệ thành phẩm đạt chuẩn cao.
Để giải quyết bài toán dài hạn, Samsung đang đầu tư mạnh vào cơ sở hạ tầng sản xuất. Công ty được cho là đang xây dựng một nhà máy quy mô lớn tại Onyang, Hàn Quốc, với diện tích tương đương bốn sân bóng đá.
Nhà máy này sẽ đảm nhiệm toàn bộ chuỗi quy trình từ đóng gói, kiểm tra cho đến kiểm soát chất lượng, nhằm đảm bảo khả năng sản xuất ổn định cho các dòng chip DRAM thế hệ mới, bao gồm cả HBM.
Ở chiều ngược lại, đối thủ SK Hynix lại đang có lợi thế nhất định khi cũng phát triển công nghệ D1d DRAM nhưng đạt được kết quả khả quan hơn về tỷ lệ sản xuất. Điều này giúp hãng có vị thế tốt hơn trong việc cạnh tranh các hợp đồng cung cấp bộ nhớ cho các công ty công nghệ và AI hàng đầu thế giới.
